其他產(chǎn)品及廠家
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時間:2025-12-15
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時間:2025-12-15
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機械強度等特點。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對激光傳輸?shù)囊蟆?/div>
更新時間:2025-12-15
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢。
更新時間:2025-12-15
coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導(dǎo)和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導(dǎo)）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時纖芯熱擴束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
更新時間:2025-12-15
波長 optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標準 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時間:2025-12-15
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應(yīng)用前景。
更新時間:2025-12-15
鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環(huán)境設(shè)計的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應(yīng)用場景。 鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍 ，從低溫環(huán)境到 + 400°c 均可適用 ，且具備氫密封性 ，能在富氫環(huán)境中減輕氫致暗化現(xiàn)象。
更新時間:2025-12-15
稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復(fù)合玻璃光纖。與廣泛應(yīng)用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導(dǎo)體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div>
更新時間:2025-12-15
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場直徑30.0 ± 0.5,截止波長:880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應(yīng)用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設(shè)計脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設(shè)計用于各種市場的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達。
更新時間:2025-12-15
工作波長:1030-1100nm,數(shù)值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時間:2025-12-15
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時間:2025-12-15
數(shù)值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時間:2025-12-15
吸收峰值在1530nm的范圍72-88db/m；截止波長1250±150nm；纖芯數(shù)值孔徑 0.13； 模場直徑 8.7 - 10.3μm @1550nm；包層直徑 123-127μm
更新時間:2025-12-15
liekki? yb1200-30/250 光纖是非常高摻雜的光纖，具有非常高的包層吸收和低光暗化損耗、每應(yīng)用長度的高效率和非常高的光束質(zhì)量。這些光纖是高功率脈沖光纖放大器的理想選擇，其中短應(yīng)用長度對于避免非線性效應(yīng)至關(guān)重要。 liekki? yb1200-30/250 光纖可用作雙包層 (yb1200-30/250dc) 和雙包層保偏 (yb1200-30/250dc-pm) 光纖。
更新時間:2025-12-15
重金屬氟化物ifg單模摻雜光纖 (截止波長2.95um)ifg光纖重金屬氟化物組成的復(fù)合玻璃光纖。與廣泛應(yīng)用的石英光纖相比，ifg光纖具有傳輸波長范圍寬0.3μm~5.5μm具有摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
吸收峰值 37db/m@1532nm，250m光纖長度上的吸收峰值波動 ≤2.5 %，背景損耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 6 db/km，彎曲敏感度(100 m, 15 mm彎曲半徑, λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db，截至波長≤ 1300 nm，模場直徑1550 nm 5.4 ± 0.7 μm，數(shù)值孔徑:0.23 ± 0.02，熔接衰減: ≤ 0.2 db
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽單模光纖(single mode fiber, smf)是指在確切波長，只支持一個傳輸橫模的光纖（可容許兩個簡并的偏振態(tài)模）。單模光纖通常纖芯在10微米量級，纖芯和包層之間的折射率差很?。?1%)。
更新時間:2025-12-15
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :50.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :40.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
纖芯數(shù)值孔徑0.25 +/- 0.01@1000nm；芯徑 2.1 +/- 0.5；截止波長 <950nm； 包層直徑 123±5 um ,涂覆層直徑 450±30um
更新時間:2025-12-15
纖芯數(shù)值孔徑 0.21；芯徑 2um；截止波長 <2.5um； 摻雜稀土元素；涂覆層數(shù)值孔徑 0.5
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽f-sm1500-5.3/80-p聚酰亞胺涂覆層單模光纖是一種包層減小的全玻璃彎曲不敏感光纖，可用于盤繞和嵌入式傳感器陣列，并支持1550-1650 nm工作波長范圍內(nèi)的單模光傳播。
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽ivg fiber，heracle品牌,鍍金光纖，鍍鋁光纖，鍍銅光纖,摻鍺熔融石英漸變折射率多模光纖，適用于光波為850 nm和/或1300 nm的數(shù)據(jù)通信。
更新時間:2025-12-15
工作波長 1520 - 1650nm；數(shù)值孔徑 0.17 - 0.19 模場直徑 6.7 - 7.6μm @1550nm ；包層直徑 80 ± 1μm
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽單模光纖(single mode fiber, smf)是指在確切波長，只支持一個傳輸橫模的光纖（可容許兩個簡并的偏振態(tài)模）。單模光纖通常纖芯在10微米量級，纖芯和包層之間的折射率差很?。?1%)。
更新時間:2025-12-15
單模截至波長 1260nm，纖芯直徑 8.2um，數(shù)值孔徑 0.14 ，模場直徑（μm） 9.2±0.4@1310 nm&10.4±0.5@1550nm
更新時間:2025-12-15
工作波長：850nm 模場直徑@850nm:5.5±1um 包層直徑:124.5±1um 涂覆層直徑:245±7um
更新時間:2025-12-15
數(shù)值孔徑–核心 0.25 ± 0.02 1550nm時的模場直徑–標稱值(μm ) 4.0 雙折射 > 1.4 x 10e-04 1550nm時的背景損耗( db/km ) < 10.0
更新時間:2025-12-15
背景損耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 2.8db/km；彎曲敏感度(100 m；15 mm彎曲半徑(λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db；拍長 1.54mm；截至波長 ≤1100 nm；模場直徑5.4 ± 0.7 μm@1550 nm；數(shù)值孔徑 0.23 ± 0.02；熔接衰減 ≤0.2 db；偏振模色散 (100 m) ≤ 0.25 ps
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽筱曉光子的熊貓型和領(lǐng)結(jié)型單模保偏(pm)光纖。兩者分別根據(jù)所用的應(yīng)力棒來命名。應(yīng)力棒與光纖纖芯平行，施加的應(yīng)力在光纖纖芯內(nèi)產(chǎn)生雙折射，從而維持保偏工作。
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽筱曉光子的熊貓型和領(lǐng)結(jié)型單模保偏(pm)光纖。兩者分別根據(jù)所用的應(yīng)力棒來命名。應(yīng)力棒與光纖纖芯平行，施加的應(yīng)力在光纖纖芯內(nèi)產(chǎn)生雙折射，從而維持保偏工作。
更新時間:2025-12-15
工作波長范圍 488 - 633nm；截止波長 350 - 470nm；數(shù)值孔徑 0.10 - 0.13；模場直徑 3.0 - 4.1μm@488nm；衰減 ≤100 db/km@488nm
更新時間:2025-12-15
850nm 28gbaud gaas 1x4 array pd chip φ38um850nm gaas pin 高速光探測器陣列芯片
更新時間:2025-12-15
導(dǎo)光柱陣列(石英 900-1064nm)|光通信導(dǎo)光柱用于將多路光信號從光源傳輸?shù)焦饫w陣列，而微透鏡陣列（例如硅或熔融石英透鏡陣列）可以進一步聚焦或分束光束，提高耦合效率。導(dǎo)光柱陣列透鏡常用于光通信和高精度耦合。
更新時間:2025-12-15
環(huán)烯烴共聚物光學(xué)透鏡(coc 光潔度60/40)|太陽能環(huán)烯烴共聚物（coc）在光學(xué)領(lǐng)域具有一系列的光學(xué)性能，具有較高的透明度，其透光率接近玻璃。coc材料的低雙折射對于需要高清晰度成像的光學(xué)系統(tǒng)至關(guān)重要。低雙折射有助于減少圖像失真和色彩失真，提高成像質(zhì)量。
更新時間:2025-12-15
微結(jié)構(gòu)復(fù)眼透鏡(pmma 單/雙面)|安防監(jiān)控復(fù)眼透鏡是由若干個小透鏡組成的透鏡陣列，可用于寬視場、高分辨率、低畸變的圖像采集。pmma具有透明度高、光澤度高、抗沖擊強度高、加工性能好等特點，可以制作出精度高、一致性好的小透鏡，從而提高復(fù)眼透鏡的成像質(zhì)量。
更新時間:2025-12-15
850nm 10gbps gaas 1x4 array pd chip φ60um850nm gaas pin 高速光探測器陣列芯片
更新時間:2025-12-15
太赫茲平凸、雙凸透鏡(tpx 聚甲基戊烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學(xué)系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時間:2025-12-15
高速線性太赫茲掃描儀(300ghz 5000lps)|工業(yè)檢測300 ghz 線性掃描儀是我們在高速太赫茲成像領(lǐng)域的又一突破。該掃描儀擁有所未有的空間分辨率和很高的成像速度，可幫助您比以往更快地發(fā)現(xiàn)原本不可見的問題。我們的掃描儀可用于檢測隱藏缺陷或進行各行各業(yè)的無損檢測。
更新時間:2025-12-15
高速線性太赫茲相機(100ghz 5000fps)|工業(yè)檢測該產(chǎn)品既擁有每秒 5000 幀的超高成像速度，又易于集成到任何工業(yè)流程中。太赫茲成像掃描儀適用于大多數(shù)傳送帶，傳送帶速度高達 15 米/秒。其超快線性傳感器陣列旨在滿足許多工業(yè)應(yīng)用的無損檢測和質(zhì)量控制需求。
更新時間:2025-12-15
pvmi系列(pvmi-8/pvmi-10.6)是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，采用光學(xué)浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達到的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款te別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。
更新時間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽pem系列是一款基于光電磁效應(yīng)的mct紅外光伏探測器。光入射會使探測器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對在磁場的作用下移動。該器件在10.6 μm處探測性能佳，是一款te別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。
更新時間:2025-12-15
mbc-an-lab-a1: 內(nèi)置耦合器,1530-1625 nm,輸入光功率@1550 nm 手動設(shè)置:6.4-26dbm
更新時間:2025-12-15
工作波長 1550 nm；工作頻率 200mhz；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5kw定制）；插入損耗 ≤3 db；光脈沖上升時間 12ns；光纖連接頭 fc/apc
更新時間:2025-12-15
工作波長 1550 nm；工作頻率 150mhz；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5kw定制）；插入損耗 ≤3 db；光脈沖上升時間 20ns；光纖連接頭 fc/apc
更新時間:2025-12-15
最新產(chǎn)品
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